ЗИП и расходники для оргтехники
Проезд Березовой рощи, 8 (м.Полежаевская или м.Динамо)
Время работы: Пн-Пт 10-18
8 (499) 762-65-04
8 (903) 757-44-28
email: partscart@mail.ru
Пожалуйста прочитайте
Если Вы не уверены в совместимости данного товара с Вашим оборудованием - при оформлении заказа укажите требующие уточнения вопросы в поле "Комментарии".
Не стесняйтесь попросить нас разъяснить все спорные моменты - мы заинтересованы в том чтобы наши клиенты оставались довольны!
Сделать заказ - это просто! Просто позвоните 8 (495) 740-88-74 или напишите в произвольной форме на почту megagertz@bk.ru о том что Вас интересует - все остальное мы сделаем сами!
- Полярность транзистора: N-Channel
- Технология: Si
- Id - непрерывный ток утечки: 2 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V
- Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V
- Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.7 V
- Усиление: 11 dB
- Выходная мощность: 3 W
- Минимальная рабочая температура: - 65 C
- Максимальная рабочая температура: + 150 C
- Вид монтажа: SMD/SMT
- Рабочая частота: 520 MHz
- Тип: RF Power MOSFET
- Канальный режим: Enhancement
- Pd - рассеивание мощности: 31.25 W
Отправим Вашу покупку максимально быстро!
Сроки доставки (рабочих дней):
- Курьером (Москва в пределах МКАД) -1-2
- Почтой России - 7-14
- ТК (ПЭК, СДЭК, Деловые линии) - 5-7
При выборе варианта "Самовывоз" пожалуйста согласуйте время Вашего приезда с менеджером!
Ваша Корзина Ваша Корзина
Корзина пуста